[发明专利]一种磁性随机存储器底电极接触及其形成方法有效
| 申请号： | 201710244620.3 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108735893B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性随机存储器底电极接触及其形成方法，采用在通孔Vx(x＝1)上制作底电极接触。同时，由于底电极接触的顶部的截面积要比后续的超薄势垒层的截面积稍大，那么，在底电极接触周围的表面不平整将不会转移到后续的势垒层之上，非常有利于制作平整的超薄势垒层，有利于磁性隧道结磁性，电学和良率的提高，减少了工艺复杂程度和节约了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 电极 接触 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器底电极接触的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：提供表面抛光的带金属连线和通孔的CMOS衬底；步骤2：在所述衬底上依次形成底电极接触刻蚀阻挡层和底电极接触介电质层；步骤3：图形化定义底电极接触图案并刻蚀形成底电极接触孔；步骤4：在所述底电极接触孔内填充底电极接触材料，并磨平所述底电极接触材料直到与所述底电极接触介电质层的顶部齐平，至此形成底电极接触。
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