[发明专利]一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件在审

专利信息
申请号: 201710238929.1 申请日: 2017-04-13
公开(公告)号: CN107171653A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 李翠平;钱莉荣;李明吉;李红姬;曹菲菲;季来运;杨保和 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/58;H03H3/02
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 代理人: 侯力
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波(SAW)器件,该SAW器件采用金刚石膜为基底,采用AlN和ZnO薄膜周期性层叠结构(AlN/ZnO)N作为压电层,层叠结构的周期N为2~5,AlN和ZnO薄膜的厚度比Rh为0.2~5。本发明考虑到AlN和ZnO两种压电材料各自的优缺点,利用二者的协同作用,使器件的综合性能得到了改善,在相同的叉指宽度下,该结构与ZnO和AlN双压电层结构相比,器件的机电耦合系数最大可提高2倍,且中心频率不降低,同时,器件的温度稳定性也得到了改善,频率温度系数降低。此外,在设计声表面波器件时,该结构可调参数更多,器件的性能参数调节范围更广,扩大了器件的应用领域。
搜索关键词: 一种 具有 机电 耦合 系数 中心 频率 表面波 器件
【主权项】:
一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件,包括基底层、压电层及叉指换能器(IDT);其特征在于所述的声表面波器件采用金刚石膜作为基底,采用AlN和ZnO薄膜周期性层叠的结构(AlN/ZnO)N作为压电层,层叠结构的周期N的范围为2~5,AlN薄膜和ZnO薄膜的厚度比Rh的范围为0.2~5,AlN和ZnO薄膜都是c轴择优取向的,其c轴沿着基底的法线方向,AlN和ZnO薄膜周期性层叠结构的厚度小于一个波长。
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