[发明专利]一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件在审
| 申请号： | 201710238929.1 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107171653A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李翠平;钱莉荣;李明吉;李红姬;曹菲菲;季来运;杨保和 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/58;H03H3/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 机电 耦合 系数 中心 频率 表面波 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件，包括基底层、压电层及叉指换能器(IDT)；其特征在于所述的声表面波器件采用金刚石膜作为基底，采用AlN和ZnO薄膜周期性层叠的结构(AlN/ZnO)N作为压电层，层叠结构的周期N的范围为2～5，AlN薄膜和ZnO薄膜的厚度比Rh的范围为0.2～5，AlN和ZnO薄膜都是c轴择优取向的，其c轴沿着基底的法线方向，AlN和ZnO薄膜周期性层叠结构的厚度小于一个波长。
2.根据权利要求1所述的具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件，其特征在于所述的金刚石膜选用CVD法制备的多晶金刚石，厚度要大于25μm，表面粗糙度小于5nm。
3.根据权利要求1所述的具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件，其特征在于所述IDT材料为金属Al、金属Cu、或者是Al或Cu的合金。
4.根据权利要求3所述的具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件，其特征在于所述金属材料的制备可以采用蒸镀法或溅射法；IDT的制备可采用光刻法，也可采用电子束或者离子束刻蚀法。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件，其特征在于所述的IDT放在压电层的上表面，或者放在压电层与金刚石基底中间。
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