[发明专利]一种高荧光量子产率N;S掺杂碳点的制备方法有效
| 申请号： | 201710238018.9 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106978169B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 韩冰雁;于明波;孙佳慧;迟晨;彭婷婷;李莹;胡茜茜;侯绪芬;相荣超 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/65 | 分类号： | C09K11/65 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮;赵连明 |
| 地址： | 124221 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高荧光量子产率N,S掺杂碳点的制备方法，属于荧光纳米材料领域。该制备方法具体步骤为：室温下，将质量比为1：1～4的间苯二胺与巯基丁二酸溶于超纯水中，搅拌均匀后得到混合溶液；将混合溶液放置于高压反应釜内，在120～180℃条件下反应2‑12h，反应后自然冷却至室温，样品采用0.5‑10K的透析袋透析12‑36h,冷冻干燥后固体为高荧光量子产率N,S掺杂碳点。本发明得到的碳点荧光强度高、稳定性较强，量子产率高达66.84％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 荧光 量子 掺杂 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高荧光量子产率N,S掺杂碳点的制备方法，其特征在于，该制备方法以间苯二胺和巯基丁二酸为碳源，采用水热法合成高荧光量子产率N,S掺杂的碳点，具体步骤为：室温下，将质量比为1：1～4的间苯二胺与巯基丁二酸溶于超纯水中，搅拌均匀后得到混合溶液；将混合溶液放置于高压反应釜内，在120～180℃条件下反应2‑12h，反应后自然冷却至室温，样品用透析袋透析12‑36h,冷冻干燥后固体为高荧光量子产率N,S掺杂碳点；所述的高荧光量子产率N,S掺杂碳点量子产率能够达到66.84％。
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