[发明专利]介质窗的温控装置及应用其的反应腔室有效
| 申请号： | 201710235663.5 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108695148B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 茅兴飞;李华 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种介质窗的温控装置及应用其的反应腔室，该介质窗的温控装置包括：腔体，其与介质窗形成封闭空腔，且该腔体包括进气口和出气口；气体循环机构，用于将热交换气体通过进气口输送至封闭空腔内，同时通过出气口抽取封闭空腔内的热交换气体。本发明提供的介质窗的温控装置，其可以控制介质窗的温度，以使介质窗的温度保持稳定，从而可以保证产品的一致性和设备的稳定性。同时，由于热交换气体仅在封闭空腔中流动，即使其处于高温状态，也不会对介质窗附近的其他零部件造成高温影响。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 温控 装置 应用 反应 | ||
【主权项】：
1.一种介质窗的温控装置，其特征在于，包括：腔体，其与所述介质窗形成封闭空腔，所述腔体还包括进气口和出气口；气体循环机构，用于将热交换气体通过所述进气口输送至所述封闭空腔内，同时通过所述出气口抽取所述封闭空腔内的热交换气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710235663.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SOI键合硅片的制备方法
- 下一篇：蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
