[发明专利]八畴3T像素结构有效
| 申请号： | 201710229371.0 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN107065350B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 甘启明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种八畴3T像素结构。该像素结构包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线；还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容，及共享薄膜晶体管；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成；该共享薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极和漏极分别连接次区存储电极及第二主区存储电极。本发明的像素结构可以达到控制主区及次区压差比的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 主区 次区 存储电极 薄膜晶体管 存储电容 像素结构 扫描线 公共电极 子像素 液晶显示面板 阵列式排布 列子像素 栅极连接 共享 数据线 漏极 像素 压差 源极 | ||
【主权项】：
1.一种八畴3T像素结构，多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线，其特征在于，还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容，及共享薄膜晶体管；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成；该主区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接第一主区存储电极或主区的像素电极；该次区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接次区存储电极或次区的像素电极；该共享薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极和漏极分别连接次区存储电极及第二主区存储电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710229371.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示面板及移动终端
- 下一篇：反应腔室的压力控制系统及压力控制方法
