[发明专利]垂直型III-V族氮化物功率器件终端结构及制作方法有效
| 申请号： | 201710219954.5 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107104135B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 杨树;韩绍文;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/868;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310013 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明首先提供了一种垂直型III‑V族氮化物功率器件终端制作方法，该方法在主结边缘的III‑V族氮化物中引入氟离子、氧离子或其他电负性离子。本发明还提供了一种垂直型III‑V族氮化物功率器件终端结构，该终端结构包括形成于主结边缘的负离子区，所述负离子区通过在III‑V族氮化物中引入氟离子、氧离子或其他电负性离子形成，具体为在半导体漂移层表面的pn结或肖特基结边沿形成包含氟离子、氧离子或其他电负性离子的区域和结构，在高压阻断时能够通过负离子电荷补偿效应将结边沿电场向终端区域扩展，从而有效缓解结边沿电场聚集。本发明可以大幅度降低主结边沿的电场聚集效应，提高器件的耐压和可靠性；本发明尤其适用于垂直型氮化镓基功率二极管和晶体管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 iii 氮化物 功率 器件 终端 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型III‑V族氮化物功率器件终端结构制作方法，其特征在于，在主结边缘的III‑V族氮化物中引入氟离子、氧离子或其他电负性离子。
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