[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对栅极堆叠结构两侧的半导体衬底执行第一袋状区注入，以形成第一袋状区；对栅极堆叠结构两侧的半导体衬底执行第二袋状区注入，以形成第二袋状区，其中第一袋状区的掺杂浓度大于第二袋状区的掺杂浓度，第一袋状区的深度小于第二袋状区的深度。采用本发明的方法，在形成第二袋状区之前在更浅区域形成掺杂浓度更大的第一袋状区，起到覆盖和保护作用，抑制后续工艺产生缺陷，减少由缺陷引起的掺杂剂量损失的问题，进而减小形成的金属硅化物的电阻，改善因金属硅化物的管状钻出缺陷而造成的漏电流的问题，提高半导体器件良率和性能。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述栅极堆叠结构两侧的所述半导体衬底执行第一袋状区注入，以形成第一袋状区；对所述栅极堆叠结构两侧的所述半导体衬底执行第二袋状区注入，以形成第二袋状区，其中所述第一袋状区的掺杂浓度大于所述第二袋状区的掺杂浓度，所述第一袋状区的深度小于所述第二袋状区的深度。