[发明专利]用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法有效

专利信息
申请号: 201710216550.0 申请日: 2017-04-05
公开(公告)号: CN106981496B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 张故万;伍明娟;罗春林 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 侯懋琪;侯春乐
地址: 400060 重庆*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器,所述输出放大器由衬底层、两个源漏区、三个栅介质、源漏多晶硅电极、三个磷硅玻璃层、阻挡层、金属铝层和地组成;本发明还公开了前述输出放大器的制作方法;本发明的有益技术效果是:提出了一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法,该方案可有效提高帧转移可见光CCD的品质。
搜索关键词: 用于 转移 可见光 ccd 输出 放大器 制作方法
【主权项】:
1.一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器,其特征在于:所述输出放大器由衬底层(1)、两个源漏区(2)、三个栅介质(3)、源漏多晶硅电极(4)、三个磷硅玻璃层(5)、阻挡层(6)、金属铝层(7)和地组成;所述源漏区(2)形成在衬底层(1)上侧的表层中,两个源漏区(2)之间间隔一定距离,位于左侧的源漏区(2)记为左源漏区,位于右侧的源漏区(2)记为右源漏区;所述栅介质(3)形成在衬底层(1)的上表面上;第一栅介质(3)位于左源漏区的左边,第一栅介质(3)的右端将左源漏区的左端覆盖;第二栅介质(3)位于左源漏区和右源漏区之间,第二栅介质(3)的左端将左源漏区的右端覆盖,第二栅介质(3)的右端将右源漏区的左端覆盖,第一栅介质(3)和第二栅介质(3)之间留有间隔;第三栅介质(3)位于右源漏区的右边,第三栅介质(3)的左端将右源漏区的右端覆盖,第二栅介质(3)和第三栅介质(3)之间留有间隔;所述源漏多晶硅电极(4)层叠在第二栅介质(3)的上表面中部;第一磷硅玻璃层(5)层叠在第一栅介质(3)的上表面上;第二磷硅玻璃层(5)层叠在第二栅介质(3)的上表面上,第二磷硅玻璃层(5)将源漏多晶硅电极(4)包裹在内;第三磷硅玻璃层(5)层叠在第三栅介质(3)的上表面上;所述阻挡层(6)将源漏区(2)、栅介质(3)和磷硅玻璃层(5)的裸露部分覆盖;所述金属铝层(7)覆盖在阻挡层(6)的外表面上;所述地形成在衬底层(1)的外围。
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