[发明专利]用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法有效
申请号: | 201710216550.0 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN106981496B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 张故万;伍明娟;罗春林 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春乐 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器,所述输出放大器由衬底层、两个源漏区、三个栅介质、源漏多晶硅电极、三个磷硅玻璃层、阻挡层、金属铝层和地组成;本发明还公开了前述输出放大器的制作方法;本发明的有益技术效果是:提出了一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器及制作方法,该方案可有效提高帧转移可见光CCD的品质。 | ||
搜索关键词: | 用于 转移 可见光 ccd 输出 放大器 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于帧转移可见光CCD的输出放大器,其特征在于:所述输出放大器由衬底层(1)、两个源漏区(2)、三个栅介质(3)、源漏多晶硅电极(4)、三个磷硅玻璃层(5)、阻挡层(6)、金属铝层(7)和地组成;所述源漏区(2)形成在衬底层(1)上侧的表层中,两个源漏区(2)之间间隔一定距离,位于左侧的源漏区(2)记为左源漏区,位于右侧的源漏区(2)记为右源漏区;所述栅介质(3)形成在衬底层(1)的上表面上;第一栅介质(3)位于左源漏区的左边,第一栅介质(3)的右端将左源漏区的左端覆盖;第二栅介质(3)位于左源漏区和右源漏区之间,第二栅介质(3)的左端将左源漏区的右端覆盖,第二栅介质(3)的右端将右源漏区的左端覆盖,第一栅介质(3)和第二栅介质(3)之间留有间隔;第三栅介质(3)位于右源漏区的右边,第三栅介质(3)的左端将右源漏区的右端覆盖,第二栅介质(3)和第三栅介质(3)之间留有间隔;所述源漏多晶硅电极(4)层叠在第二栅介质(3)的上表面中部;第一磷硅玻璃层(5)层叠在第一栅介质(3)的上表面上;第二磷硅玻璃层(5)层叠在第二栅介质(3)的上表面上,第二磷硅玻璃层(5)将源漏多晶硅电极(4)包裹在内;第三磷硅玻璃层(5)层叠在第三栅介质(3)的上表面上;所述阻挡层(6)将源漏区(2)、栅介质(3)和磷硅玻璃层(5)的裸露部分覆盖;所述金属铝层(7)覆盖在阻挡层(6)的外表面上;所述地形成在衬底层(1)的外围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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