[发明专利]在C-方向错切小于+/-15度的m-平面基底上的半极性III-氮化物光电子装置有效
| 申请号： | 201710215977.9 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN106972346B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | P·S·徐;K·M·科尔奈;R·M·法雷尔;D·A·海格尔;H·太田;A·泰亚吉;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯;J·S·斯派克 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/343;B82Y20/00;H01L21/02;H01S5/00;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/30;H01S5/34 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永伟;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的(GaN的)半极性GaN晶体平面，其中‑15<x<‑1和1<x<15度。 | ||
| 搜索关键词： | 方向 小于 15 平面 基底 极性 iii 氮化物 光电子 装置 | ||
【主权项】：
1.装置，其包括：/n一个或多个半极性III-氮化物层，所述一个或多个半极性III-氮化物层在具有倾斜角相对于c-平面在80与90度之间的GaN的半极性晶体平面上外延生成，其中所述半极性III-氮化物层的一个或多个具有0.75纳米或更小的表面粗糙度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会，未经加利福尼亚大学董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710215977.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成半导体光学器件的方法及半导体光学器件
- 下一篇：用于3D成像的激光阵列
