[发明专利]一种坩埚及制造方法在审
| 申请号： | 201710209422.3 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108660506A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种坩埚及制造方法，该坩埚包括坩埚本体，坩埚本体内设置容置腔，可容纳多晶硅熔液；设置于坩埚本体上的第一保护层和第二保护层，第一保护层和第二保护层基于沉积及退火形成；第一保护层覆盖坩埚本体的内壁，第二保护层覆盖坩埚本体的外壁。由于第一保护层和第二保护层完整地覆盖在坩埚本体的表面，能够对坩埚本体进行有效防护，有效提高坩埚的耐用性；而且，第一保护层和第二保护层均通过沉积和退火方式形成，具有高致密性和低缺陷的特点，能够有效屏蔽坩埚本体内的杂质，防止污染，从而保证单晶硅的制备质量，利于制备高电阻率的单晶硅；另外，通过使用坩埚本体与保护层相结合的结构，无需使用高昂的制备材质，有效降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚本体 第二保护层 第一保护层 坩埚 制备 单晶硅 沉积 覆盖 有效降低成本 退火 多晶硅熔液 防止污染 高电阻率 高致密性 退火方式 有效屏蔽 保护层 低缺陷 耐用性 容置腔 内壁 外壁 制造 防护 容纳 体内 保证 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚，其特征在于，所述坩埚包括：坩埚本体，所述坩埚本体内设置容置腔，用于容纳多晶硅熔液；设置于所述坩埚本体上的第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层基于沉积及退火形成；所述第一保护层覆盖所述坩埚本体的内壁，所述第二保护层覆盖所述坩埚本体的外壁。
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