[发明专利]一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法有效
申请号: | 201710198405.4 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN106917081B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 乔玉林;赵吉鑫;黄克宁;刘军;蔡志海 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军装甲兵工程学院 |
主分类号: | C23C20/08 | 分类号: | C23C20/08;C08G77/22;C09D183/08 |
代理公司: | 北京智为时代知识产权代理事务所(普通合伙) 11498 | 代理人: | 王加岭;杨静 |
地址: | 100072*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法,属于化学合成和陶瓷涂层制备技术领域。本发明方法包括以下步骤(1)钛酸丁酯与有机硅化合物进行化学反应,制备钛有机硅化合物;(2)将钛有机硅化合物涂覆在基体表面,固化;(3)利用连续激光对步骤(2)制得的固态钛有机硅涂层扫描,裂解涂层,获得SiTiOC陶瓷涂层。本发明方法简便易操作,制备周期短效率高,激光扫描对基体的形状和组织性能不会产生负面影响,制得的SiTiOC陶瓷涂层孔隙率较低,具有优异的防腐耐磨减摩性能,不易产生裂纹,适合规模化生产,在航空航天、国防、化工、机械、电力、电子等领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 sitioc 陶瓷 涂层 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:(1)钛酸丁酯与有机硅化合物进行化学反应,制备钛有机硅化合物;所述有机硅化合物为γ‑缩水甘油氧丙基三甲氧基硅烷和/或γ‑氨丙基三乙基硅烷;(2)将钛有机硅化合物涂覆在基体表面,固化;(3)利用连续激光对步骤(2)制得的固态钛有机硅涂层扫描,裂解涂层,获得SiTiOC陶瓷涂层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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