[发明专利]一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法有效

专利信息
申请号: 201710198405.4 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN106917081B 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 乔玉林;赵吉鑫;黄克宁;刘军;蔡志海 申请(专利权)人: 中国人民解放军装甲兵工程学院
主分类号: C23C20/08 分类号: C23C20/08;C08G77/22;C09D183/08
代理公司: 北京智为时代知识产权代理事务所(普通合伙) 11498 代理人: 王加岭;杨静
地址: 100072*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法,属于化学合成和陶瓷涂层制备技术领域。本发明方法包括以下步骤(1)钛酸丁酯与有机硅化合物进行化学反应,制备钛有机硅化合物;(2)将钛有机硅化合物涂覆在基体表面,固化;(3)利用连续激光对步骤(2)制得的固态钛有机硅涂层扫描,裂解涂层,获得SiTiOC陶瓷涂层。本发明方法简便易操作,制备周期短效率高,激光扫描对基体的形状和组织性能不会产生负面影响,制得的SiTiOC陶瓷涂层孔隙率较低,具有优异的防腐耐磨减摩性能,不易产生裂纹,适合规模化生产,在航空航天、国防、化工、机械、电力、电子等领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 制备 sitioc 陶瓷 涂层 方法
【主权项】:
1.一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:(1)钛酸丁酯与有机硅化合物进行化学反应,制备钛有机硅化合物;所述有机硅化合物为γ‑缩水甘油氧丙基三甲氧基硅烷和/或γ‑氨丙基三乙基硅烷;(2)将钛有机硅化合物涂覆在基体表面,固化;(3)利用连续激光对步骤(2)制得的固态钛有机硅涂层扫描,裂解涂层,获得SiTiOC陶瓷涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军装甲兵工程学院,未经中国人民解放军装甲兵工程学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710198405.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top