[发明专利]一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法有效
| 申请号： | 201710198405.4 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106917081B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 乔玉林;赵吉鑫;黄克宁;刘军;蔡志海 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军装甲兵工程学院 |
| 主分类号： | C23C20/08 | 分类号： | C23C20/08;C08G77/22;C09D183/08 |
| 代理公司： | 北京智为时代知识产权代理事务所(普通合伙) 11498 | 代理人： | 王加岭;杨静 |
| 地址： | 100072*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 sitioc 陶瓷 涂层 方法 | ||
1.一种制备SiTiOC陶瓷涂层的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：
(1)钛酸丁酯与有机硅化合物进行化学反应，制备钛有机硅化合物；所述有机硅化合物为γ-缩水甘油氧丙基三甲氧基硅烷和/或γ-氨丙基三乙基硅烷；
(2)将钛有机硅化合物涂覆在基体表面，固化；
(3)利用连续激光对步骤(2)制得的固态钛有机硅涂层扫描，裂解涂层，获得SiTiOC陶瓷涂层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中钛酸丁酯与有机硅化合物质量比为1:1～1:4，进行化学反应的温度为20～50℃，超声条件下反应时间为5～10min。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)制得的钛有机硅化合物的分子结构式为：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述的基体为金属基体。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述的基体为铁基金属基体。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)钛有机硅化合物涂覆在基体表面厚度为200μm±50μm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)固化的条件为：固化温度为40～180℃，固化时间为20-40min。
8.如权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，步骤(3)在惰性气体保护下进行连续激光扫描，所述惰性气体为氩气或氮气，其流量控制为350～500mL/min。
9.如权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，步骤(3)激光扫描方法为，采用波长为980nm的激光，激光功率为200～800W，扫描线速度为5～30mm/s，光斑直径大小为3mm×3mm；扫描搭接率为3％～5％，扫描路径为S型。
10.权利要求1-9任一所述方法得到的SiTiOC陶瓷涂层在提高金属防腐蚀、耐高温、耐磨损性能中的应用。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
