[发明专利]增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法，其包括：n⁺型GaN衬底(1)、n^‑型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、电流阻挡层(4)、GaN沟道层(6)和势垒层(7)，势垒层上两侧淀积有源极(11)，源极之间的势垒层上有p⁺型GaN帽层(8)，p⁺型GaN帽层两侧刻有台阶(9)，p⁺型GaN帽层上淀积有栅极(12)，n⁺型GaN衬底下淀积有漏极(13)，钝化层(14)包裹除漏极底部以外的所有区域，钝化层内两侧有阶梯场板(15)，阶梯场板与栅极电气连接，钝化层和阶梯场板上有保护层(16)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小，可用于电力电子系统。

主权项

1.一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件，包括：n⁺型GaN衬底(1)、n^-型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、左右两个对称的电流阻挡层(4)、孔径(5)、GaN沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(14)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(11)，两个源极(11)下方通过离子注入形成两个n⁺注入区(10)，源极(11)之间的势垒层(7)上外延有p⁺型GaN帽层(8)，p⁺型GaN帽层(8)上面淀积有栅极(12)，p⁺型GaN帽层(8)两侧刻有两个台阶(9)，n⁺型GaN衬底(1)下面淀积有漏极(13)，钝化层(14)完全包裹除了漏极底部以外的所有区域，其特征在于：/n所述电流阻挡层(4)，由第一电流阻挡层(41)和第二电流阻挡层(42)共同构成的二级台阶结构组成，且第一电流阻挡层(41)位于第二电流阻挡层(42)的外侧；/n所述孔径(5)，包括第一孔径(51)和第二孔径(52)，第一孔径(51)位于左、右两个第一电流阻挡层(41)之间，第二孔径(52)位于左、右两个第二电流阻挡层(42)之间；/n所述钝化层(14)，采用阶梯形状，即在钝化层的两边刻有整数个阶梯，所有阶梯上淀积有连续金属，形成对称的两个整体阶梯场板(15)，该阶梯场板(15)与栅极(12)电气连接，形成阶梯栅场板，阶梯场板和钝化层上方覆盖有保护层(16)。/n