[发明专利]一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法在审
| 申请号： | 201710193047.8 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107093667A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;朱小芹;尤海鹏;邹华;袁丽;张剑豪;吴世臣 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 刘娟娟 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微电子技术领域的材料，具体涉及一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料的原子百分比组成为GexCu100‑2xTex，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料是以GeTe靶和圆形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够大大提高PCRAM的非晶热稳定性；具有较高的晶态电阻，能够减少PCRAM的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 稳定性 相变 存储器 ge cu te 纳米 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料的原子百分比组成为GexCu100‑2xTex，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料是以GeTe靶和圆形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。
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