[发明专利]复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器有效
| 申请号： | 201710192605.9 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108663705B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张翼飞;刘聪展;路雪峰;李旭芳;李正伟;张硕;常治;高鹤;高冠华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器，包覆方法包括：对NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体的表面进行打磨、抛光，确保NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体洁净透亮；将NaI(Tl)晶体、CsI(Na)晶体和石英玻璃自上至下位置对准、依次叠放，并通过透明的有机硅凝胶胶粘连接为一体；待胶固化后，在CsI(Na)晶体的侧面和底面通过透明的有机硅凝胶胶粘第一反射膜；对NaI(Tl)晶体顶面的边缘进行打磨处理，形成环形漫反射区域；在NaI(Tl)晶体的顶面覆盖第二反射膜，在第二反射膜的表面覆盖第三反射膜，将第三反射膜沿NaI(Tl)晶体顶面的边沿弯折至NaI(Tl)晶体的侧面并包覆连接CsI(Na)晶体侧面的第一反射膜。本发明提供的包覆方法工艺简单，无需倒角处理，避免了晶体破裂的风险；形成的复合晶体探测器具备良好的能量分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 晶体 方法 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种复合晶体的包覆方法，其特征在于，包括以下步骤：S101：对NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体的表面进行打磨、抛光处理，确保所述NaI(Tl)晶体和所述CsI(Na)晶体洁净透亮；S102：将所述NaI(Tl)晶体、所述CsI(Na)晶体和石英玻璃自上至下位置对准、依次叠放，并通过透明的有机硅凝胶胶粘连接为一体；S103：待胶固化后，在所述CsI(Na)晶体的侧面和底面通过透明的有机硅凝胶胶粘第一反射膜；S104：对所述NaI(Tl)晶体顶面的边缘进行打磨处理，形成环形漫反射区域；S105：在所述NaI(Tl)晶体的顶面覆盖第二反射膜，在所述第二反射膜的表面覆盖第三反射膜，将所述第三反射膜沿所述NaI(Tl)晶体顶面的边沿弯折至所述NaI(Tl)晶体的侧面并包覆连接所述CsI(Na)晶体侧面的第一反射膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院高能物理研究所，未经中国科学院高能物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710192605.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种人工α放射性核素气溶胶浓度连续监测方法
- 下一篇：射线探测器
