[发明专利]复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器

权利要求书

1.一种复合晶体的包覆方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101：对NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体的表面进行打磨、抛光处理，确保所述NaI(Tl)晶体和所述CsI(Na)晶体洁净透亮；

S102：将所述NaI(Tl)晶体、所述CsI(Na)晶体和石英玻璃自上至下位置对准、依次叠放，并通过透明的有机硅凝胶胶粘连接为一体；

S103：待胶固化后，在所述CsI(Na)晶体的侧面和底面通过透明的有机硅凝胶胶粘第一反射膜；

S104：对所述NaI(Tl)晶体顶面的边缘进行打磨处理，形成环形漫反射区域；

S105：在所述NaI(Tl)晶体的顶面覆盖第二反射膜，在所述第二反射膜的表面覆盖第三反射膜，将所述第三反射膜沿所述NaI(Tl)晶体顶面的边沿弯折至所述NaI(Tl)晶体的侧面并包覆连接所述CsI(Na)晶体侧面的第一反射膜；

所述第三反射膜贴于所述第二反射膜的表面并将所述第二反射膜压覆于所述NaI(Tl)晶体的顶面；

所述第一反射膜和所述第二反射膜为ESR反射膜；所述第三反射膜为Teflon反射膜；

所述NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体直径相同，且均为140～220mm。

2.根据权利要求1所述的复合晶体的包覆方法，其特征在于，所述位置对准包括：所述NaI(Tl)晶体、所述CsI(Na)晶体和所述石英玻璃的中轴线重合。

3.根据权利要求2所述的复合晶体的包覆方法，其特征在于，在所述复合晶体的中轴线的方向上，所述NaI(Tl)晶体的顶面包括正对所述石英玻璃的第一部分以及所述第一部分之外的第二部分，所述环形漫反射区域的宽度不超过所述第二部分的宽度。

4.一种复合晶体探测器，其特征在于，包括由权利要求1-3任一项所述的包覆方法制备形成的复合晶体，所述复合晶体包括自上至下依次叠放的NaI(Tl)晶体、CsI(Na)晶体和石英玻璃，所述NaI(Tl)/CsI(Na)复合晶体的石英玻璃通过光耦合剂与光电倍增管耦合在一起；其中

所述NaI(Tl)晶体、CsI(Na)晶体和石英玻璃均为圆柱形结构，所述NaI(Tl)晶体、CsI(Na)晶体和石英玻璃位置对准并通过透明的有机硅凝胶胶粘连接，所述NaI(Tl)晶体顶面的边缘处设有环形漫反射区域；所述CsI(Na)晶体的侧面和底面上设有第一反射膜，所述第一反射膜包覆所述CsI(Na)晶体的侧面和底面，并仅露出所述石英玻璃的侧面和底面；所述NaI(Tl)晶体的顶面覆盖有第二反射膜，所述第二反射膜的表面设有第三反射膜，所述第三反射膜自所述NaI(Tl)晶体的顶面边沿弯折包覆所述NaI(Tl)晶体的侧面；

所述第一反射膜通过透明的有机硅凝胶胶粘于所述CsI(Na)晶体的侧面和底面；

所述第三反射膜贴于所述第二反射膜的表面并将所述第二反射膜压覆于所述NaI(Tl)晶体的顶面，且所述第三反射膜的边沿贴于所述CsI(Na)晶体侧面上的第一反射膜的外侧；

所述第一反射膜和所述第二反射膜为ESR反射膜，所述第三反射膜为Teflon反射膜。

5.根据权利要求4所述的复合晶体探测器，其特征在于，所述位置对准包括：所述NaI(Tl)晶体、所述CsI(Na)晶体和所述石英玻璃的中轴线重合。

6.根据权利要求5所述的复合晶体探测器，其特征在于，在所述复合晶体的中轴线的方向上，所述NaI(Tl)晶体的顶面包括正对所述石英玻璃的第一部分以及所述第一部分之外的第二部分，所述环形漫反射区域的宽度不超过所述第二部分的宽度。

7.根据权利要求4所述的复合晶体探测器，其特征在于，所述NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体直径相同，且均为140～220mm。