[发明专利]一种集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710191135.4 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN107014896B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 田武刚;陈棣湘;潘孟春;任远;周卫红;胡佳飞;刘丽辉;王伟 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G01N27/90 分类号: G01N27/90;G01N27/24;G01B7/06
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 赵洪;谭武艺
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法,传感器包括两面均带有导电金属层的基底,基底下表面的导电金属层包括刻蚀形成的主电极和次电极、上表面的导电金属层包括刻蚀形成的涡流检测线圈,主电极为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置,次电极的数量为多个且分别布置于主电极的凹入区域内构成直线型阵列结构,涡流检测线圈和对应的次电极中心重合且在基底的上表面上构成直线型阵列结构;制备方法包括在基底上电镀导电金属层并刻蚀形成主电极、次电极以及涡流检测线圈。本发明能够基于电磁涡流法和平面电容法实现热障涂层的厚度/缺陷/构件金属基底缺陷等全面无损检测,具有结构简单、检测效率高、检测范围全面、通用性好的优点。
搜索关键词: 一种 集成 电磁 电容 平面 阵列 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种集成式电磁电容平面阵列传感器,其特征在于:包括两面均带有导电金属层的基底(1),所述基底(1)下表面的导电金属层包括刻蚀形成的主电极(2)和次电极(3)、上表面的导电金属层包括刻蚀形成的涡流检测线圈(4),所述主电极(2)为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置,所述次电极(3)的数量为多个且分别布置于主电极(2)的凹入区域内构成直线型阵列结构,所述涡流检测线圈(4)与次电极(3)的数量相同且一一对应,所述涡流检测线圈(4)和对应的次电极(3)中心重合且在基底(1)的上表面上构成直线型阵列结构,所述主电极(2)的两端分别连接有激励端子,所述次电极(3)上连接有次电极端子,所述涡流检测线圈(4)的两端分别连接有涡流输出端子。
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