[发明专利]一种集成式电磁电容平面阵列传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：包括两面均带有导电金属层的基底（1），所述基底（1）下表面的导电金属层包括刻蚀形成的主电极（2）和次电极（3）、上表面的导电金属层包括刻蚀形成的涡流检测线圈（4），所述主电极（2）为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，所述次电极（3）的数量为多个且分别布置于主电极（2）的凹入区域内构成直线型阵列结构，所述涡流检测线圈（4）与次电极（3）的数量相同且一一对应，所述涡流检测线圈（4）和对应的次电极（3）中心重合且在基底（1）的上表面上构成直线型阵列结构，所述主电极（2）的两端分别连接有激励端子，所述次电极（3）上连接有次电极端子，所述涡流检测线圈（4）的两端分别连接有涡流输出端子。

2.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述涡流检测线圈（4）为多匝螺旋结构线圈。

3.根据权利要求2所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述涡流检测线圈（4）的分布区域比主电极（2）的凹入区域的区域小，且所述涡流检测线圈（4）的分布区域和主电极（2）之间设有预留间隙。

4.根据权利要求3所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述次电极（3）为U形结构，且U形结构的封闭端位于主电极（2）的凹入区域内侧。

5.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述基底（1）下表面的导电金属层还包括分别设于主电极（2）两端凹入区域内的辅助电极（5），所述基底（1）上表面的导电金属层还包括分别设于涡流检测线圈（4）两侧的辅助线圈（6）。

6.根据权利要求5所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述辅助电极（5）的形状与次电极（3）的形状相同，所述辅助线圈（6）的形状与涡流检测线圈（4）的形状相同。

7.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述基底（1）为采用聚酰亚胺制成的柔性基底。

8.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述基底（1）的表面设有采用有机硅制成的柔性绝缘覆膜（7）。

9.根据权利要求1所述的集成式电磁电容平面阵列传感器，其特征在于：所述主电极（2）与次电极（3）的宽度相同，所述主电极（2）的宽度大于涡流检测线圈（4）的单根走线宽度的八倍以上。

10.一种权利要求1～9中任意一项所述集成式电磁电容平面阵列传感器的制备方法，其特征在于实施步骤包括：

1）制作基底（1）；

2）在基底（1）的上、下表面分别电镀或溅射形成一层导电金属层；

3）在基底（1）下表面的导电金属层上刻蚀形成的主电极（2）和次电极（3）、上表面的导电金属层上刻蚀形成的涡流检测线圈（4），所述主电极（2）为长条状且弯曲呈蛇形走线状布置，所述次电极（3）的数量为多个且分别布置于主电极（2）的凹入区域内构成直线型阵列结构，所述涡流检测线圈（4）与次电极（3）的数量相同且一一对应，所述涡流检测线圈（4）和对应的次电极（3）中心重合且在基底（1）的上表面上构成直线型阵列结构，所述主电极（2）的两端分别连接有激励端子，所述次电极（3）上连接有次电极端子，所述涡流检测线圈（4）的两端分别连接有涡流输出端子。