[发明专利]一种P型晶体硅电池结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种P型晶体硅电池结构及其制作方法，由正面至背面依次包括透明导电薄膜、局部金属电极、正面减反射膜、正面钝化膜、N型掺杂层、P型晶硅基体、第一背面钝化膜、第二背面钝化膜、局部背场和背面正电极；电池正面的透明导电薄膜与局部金属电极接触将收集的电子横向传导，并通过穿透电池片的过孔电极导入电池背面的负极区域；电池背面的背面正电极和局部背场分布于过孔电极以外的区域，局部背场与背面正电极连接在一起。本发明大大增强了与现有组件封装工艺的融合度，提高了组件的转换效率，简化了工艺。

主权项

一种P型晶体硅电池结构，其特征在于，由正面至背面依次包括：透明导电薄膜(1)、局部金属电极(9)、正面减反射膜(2)、正面钝化膜(3)、N型掺杂层(4)、P型晶硅基体(5)、第一背面钝化膜(6)、第二背面钝化膜(7)、局部背场(11)和背面正电极(8)；电池正面的透明导电薄膜(1)与局部金属电极(9)接触将收集的电子横向传导，并通过穿透电池片的过孔电极(10)导入电池背面的负极区域；电池背面的背面正极(8)和局部背场(11)分布于过孔电极(10)以外的区域，局部背场(11)与背面正电极(8)部分重叠。