[发明专利]电抗器线圈的浇注工艺

摘要

本发明一种电抗器线圈的浇注工艺，包括如下步骤：S1、将浇注料进行预热、混合搅拌、脱气；S2、将浇注灌及浇注模具进行预热；S3、将绕制后的线圈置于预热后浇注模具中；S4、将脱气后的浇注料加入步骤S3中的浇注模具中进行真空浇注；S5、将真空浇注后的线圈进行固化；S6、将固化后的线圈进行脱模操作；S7、将脱模后的线圈进行后固化操作，即得所述电抗器线圈。上述浇注工艺得到的电抗器线圈具有如下优点浇注充分、均匀、无气泡，电气性能良好。通过严格控制浇注过程中的温度、真空度、时间及浇注流量，充分保证线圈浇注充分、均匀、无气泡；机械强度良好。通过长时间的后固化处理，充分保证了产品的机械强度。

主权项

1.一种高耦合分裂电抗器线圈的浇注工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、将浇注料进行预热、混合搅拌、脱气；S2、将浇注灌及浇注模具进行预热；S3、将绕制后的线圈置于预热后的浇注模具中；S4、将脱气后的浇注料加入步骤S3中的浇注模具中进行真空浇注；S5、将真空浇注后的线圈进行固化；S6、将固化后的线圈进行脱模操作；S7、将脱模后的线圈进行后固化操作，即得所述电抗器线圈；所述固化的工艺参数为：温度为80‑120℃；时间为15‑19h；步骤S1中，所述混合搅拌的工艺参数为：时间为70‑90min；温度为60‑65℃；真空度为100‑200Pa；所述脱气的工艺参数为：时间为40‑60min；真空度为100‑200Pa；步骤S2中，所述浇注模具的材质为不锈钢；所述预热的工艺参数为：升温至100‑120℃；升温速度为18‑22℃/h；步骤S4中，所述真空浇注的工艺参数为：真空度为＜200Pa；浇注料的流量为1.5‑2kg/min；浇注时间为＜3h；浇注温度为75‑80℃；步骤S6中，所述脱模的工艺参数为：温度为＜80℃；时间为1‑3h；步骤S7中，所述后固化的工艺参数为：温度为110‑130℃；时间为11‑13h；所述高耦合分裂电抗器线圈为2层线圈浇注在一起，产品线圈的直径为2m，高2m。