[发明专利]电流检测电路有效
| 申请号： | 201710182769.3 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107228967B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题在于提供能够以低消耗电流检测出电流测定电阻中流过既定电流的情况的电流检测电路。解决方案在于具备：基准电压电路，包括具有不同阈值电压的两个NMOS晶体管和电阻，在该电阻产生基准电压；以及比较输出电路，由与构成基准电压电路的串联连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管及电阻同样串联连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管及测定用电阻组成，输出比较结果。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 检测 电路 | ||
【主权项】：
一种电流检测电路，其特征在于具备：第1NMOS晶体管；具有比所述第1NMOS晶体管的阈值电压低的阈值电压的第2NMOS晶体管；具有与所述第2NMOS晶体管串联连接的第1PMOS晶体管和电阻并且在所述电阻产生基准电压的基准电压电路；以与所述第1PMOS晶体管、所述第2NMOS晶体管及所述电阻同样的关系连接的第2PMOS晶体管、第3NMOS晶体管及测定用电阻；以及设在所述第2PMOS晶体管的漏极和所述第3NMOS晶体管的漏极的输出端子，所述第2PMOS晶体管的栅极与所述第1PMOS晶体管的栅极连接，所述第3NMOS晶体管的栅极与所述第2PMOS晶体管的栅极连接，将在所述电阻产生的电压和因从测定电流输入端子流过所述测定用电阻的电流而产生的电压进行比较后的结果，从所述输出端子输出。
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