[发明专利]电流检测电路

说明书

课题在于提供能够以低消耗电流检测出电流测定电阻中流过既定电流的情况的电流检测电路。解决方案在于具备：基准电压电路，包括具有不同阈值电压的两个NMOS晶体管和电阻，在该电阻产生基准电压；以及比较输出电路，由与构成基准电压电路的串联连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管及电阻同样串联连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管及测定用电阻组成，输出比较结果。

技术领域

本发明关于电流检测电路，特别关于检测出电流测定电阻中流过既定电流的情况的电流检测电路。

背景技术

图2示出现有的电流检测电路200的电路图。

现有的电流检测电路200具备：电流流入端子203、基准端子202、电流测定电阻241、以及电流检测部251。

电流检测部251由电压输入端子204、基准端子电压输入端子206、基准电压电路20、电压比较电路261和输出端子205构成。

电流流入端子203和基准端子202经电流测定电阻241而连接，进而，与电压输入端子204和基准端子电压输入端子206分别连接。

基准电压电路20设在基准端子电压输入端子206与电压比较电路261的负输入端子之间，向电压比较电路261的负输入端子供给以基准端子电压输入端子206的电压为基准的基准电压Vref。电压输入端子204与电压比较电路261的正输入端子连接，电压比较电路261的输出与输出端子205连接。

如上述地构成的现有的电流检测电路200如下进行动作。

测定电流从电流流入端子203经由电流测定电阻241而流向基准端子202，从而在电流测定电阻241的一端产生的电压被输入电压输入端子204，由电压比较电路261比较该输入电压和基准电压Vref。

若测定电流达到检测电流值，则电压输入端子204的电压会超过基准电压Vref，因此电压比较电路261的输出成为高电平，从输出端子205输出高电平的电流检测信号（例如，参照专利文献1的图2）。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2005－241463号公报。

发明内容

【发明要解决的课题】

如上述的现有的电流检测电路200中，电压比较电路261通常至少具备差动放大电路和缓冲电路而构成，因此电压比较电路261中的消耗电流较大。

另外，为了小型化和低成本化，电流测定电阻241优选采用尽量低的电阻值的电阻。然而，若电流测定电阻241的电阻值较低，则测定电流流过时在电流测定电阻241产生的电压变低，因此与该电压比较的基准电压电路20的电压Vref也有必要设为较低的电压值。因此，虽然未图示，但是基准电压电路20构成为以泄放（Breeder）电阻将在内部作成的固定电压分压到十分之一左右，从而输出0.1V以下的电压的基准电压Vref。为了使用泄放电阻生成如此低的电压值的基准电压Vref，必须使电流流过连接在电源端子与GND端子之间的泄放电阻，牵涉到消耗电流的增加。

如此，在现有的电流检测电路200中，存在消耗电流会变得非常大这一课题。

【用于解决课题的方案】

本发明的电流检测电路，其特征在于具备：基准电压电路，包括具有不同阈值电压的两个NMOS晶体管和电阻，在该电阻产生基准电压；以及比较输出电路，由与构成基准电压电路的串联连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管及电阻同样串联连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管及测定用电阻组成，输出比较结果。

【发明效果】