[发明专利]剖面加工观察方法、剖面加工观察装置有效
| 申请号： | 201710182754.7 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107230649B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 满欣;上本敦 | 申请（专利权）人： | 日本株式会社日立高新技术科学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及剖面加工观察方法、剖面加工观察装置。在短时间内高精度地进行包含特定观察对象物的特定部位的加工，并且，迅速地生成特定观察对象物的高分辨率的三维立体像。具有：位置信息取得工序，使用光学显微镜或电子显微镜对观察对象的样品整体进行观察，取得所述样品所包含的特定观察对象物的在所述样品内的大概的三维位置坐标信息；剖面加工工序，基于所述三维位置坐标信息，朝向所述样品之中所述特定观察对象物所存在的特定部位照射聚焦离子束，使该特定部位的剖面露出；剖面像取得工序，向所述剖面照射电子束，取得包含所述特定观察对象物的规定的大小的区域的图像；以及立体像生成工序，以规定间隔沿着规定方向多次重复进行所述剖面加工工序和所述剖面像取得工序，根据所取得的多个所述剖面图像来构筑包含所述特定观察对象物的三维立体像。 | ||
| 搜索关键词： | 剖面 加工 观察 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种剖面加工观察方法，其特征在于，具有：位置信息取得工序，使用光学显微镜或电子显微镜对观察对象的样品整体进行观察，取得所述样品所包含的特定观察对象物的在所述样品内的大概的三维位置坐标信息；剖面加工工序，基于所述三维位置坐标信息，朝向所述样品之中所述特定观察对象物所存在的特定部位照射聚焦离子束，使该特定部位的剖面露出；剖面像取得工序，向所述剖面照射电子束，取得包含所述特定观察对象物的规定的大小的区域的图像；以及立体像生成工序，以规定间隔沿着规定方向多次重复进行所述剖面加工工序和所述剖面像取得工序，根据所取得的多个所述剖面图像来构筑包含所述特定观察对象物的三维立体像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
