[发明专利]一种过孔倒角预测方法在审

专利信息
申请号: 201710175379.3 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN107068584A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 李惠;王丹名;李扬;黄斗冬 申请(专利权)人: 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 代理人: 滕一斌
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种过孔倒角预测方法,属于显示器领域。所述方法包括分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率;根据M个钝化子层的刻蚀速率的大小,预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角;钝化层包括层叠设置的N个子层,N个子层中M个子层与M个钝化子层一一对应,对应设置的子层与钝化子层的生长条件相同,N≥M>1,且M、N为正整数;M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层,位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层。通过测量至少两个钝化子层的刻蚀速率,然后再进行比较,即可预测在钝化层上刻蚀过孔是否会产生倒角;该方法判断简单,耗时短;另一方面,成本较低。
搜索关键词: 一种 倒角 预测 方法
【主权项】:
一种过孔倒角预测方法,其特征在于,所述方法包括:分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率;根据所述M个钝化子层的刻蚀速率的大小,预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角;所述钝化层包括层叠设置的N个子层,所述N个子层中M个子层与所述M个钝化子层一一对应,对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同,N≥M>1,且M、N为正整数;所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层,位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层;当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时,预测在钝化层上形成过孔时会产生倒角;当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时,预测在所述钝化层上形成过孔时不会产生倒角。
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