[发明专利]一种过孔倒角预测方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器领域，特别涉及一种过孔倒角预测方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display， TFT-LCD)是利用夹在上下两个基板之间的液晶分子层上电场强度的变化，改变 液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的显示器件。液晶显示器的 结构一般包括背光模组、偏光片、阵列基板、彩膜(Color Filter，CF)基板以及填 充在这两个基板组成的盒中的液晶分子层。

阵列基板包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、有 源层、源漏极和钝化层，钝化层上设置有像素电极，钝化层上开设有过孔，用 于连通源漏极和像素电极。钝化层通常分为层叠设置在源漏极上的缓冲层、主 体层和顶层，在开设过孔时，过孔在缓冲层常会出现倒角，后续形成像素电极 时，像素电极在倒角处可能出现断裂，从而影响信号传输。

为了避免上述情况，现有技术通常会在过孔制作完成后，采用扫描电子显 微镜观察过孔是否存在倒角，一方面检测耗时长，另一方面，扫描电子显微镜 价格昂贵，成本高。

发明内容

为了解决采用扫描电子显微镜检测过孔时，耗时长、成本高的问题，本发 明实施例提供了一种过孔倒角预测方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种过孔倒角预测方法，所述方法包括：分别测量M 个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；根据所述M个钝化子层的刻蚀速 率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；所述钝化层包括层叠 设置的N个子层，所述N个子层中连续设置的M个子层与所述M个钝化子层 一一对应，对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1， 且M、N为正整数；所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的 钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层； 当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测 在钝化层上形成过孔时会产生倒角；当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不 大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在所述钝化层上形成过孔时不会 产生倒角。

在本发明实施例的一种实现方式中，测量每个所述钝化子层的刻蚀速率， 包括：在基板上形成所述钝化子层，并测量所述钝化子层的初始膜厚；对所述 钝化子层进行刻蚀，并测量所述钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚；根据所述钝 化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述基板为衬底基板，或者所述基 板为形成有薄膜晶体管阵列的基板，或者所述基板为已经形成有钝化子层且已 形成的钝化子层经过刻蚀后的基板。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包 括：对所述钝化子层进行局部刻蚀。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行局部刻蚀， 包括：刻蚀所述钝化子层并形成凹槽。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包 括：对所述钝化子层进行整层刻蚀。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述根据所述钝化子层的初始膜厚 和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率，包括：

采用所述钝化子层的初始膜厚与所述钝化子层的最终膜厚的差值除以所述 钝化子层的刻蚀时间，得到所述钝化子层的刻蚀速率。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述钝化子层的厚度为3000至5000 埃。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述钝化子层的刻蚀条件和在所述 钝化层上形成过孔时采用的刻蚀条件相同。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述钝化层包括层叠设置的缓冲层、 主体层和顶层，所述分别测量至少两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速 率，包括：分别测量两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，所述两个 钝化子层中的一个钝化子层与所述缓冲层的生长条件相同，所述两个钝化子层 中的另一个钝化子层与所述主体层的生长条件相同。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：