[发明专利]一种精准获取LLR信息的应用方法有效
申请号: | 201710164019.3 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN106981308B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 郭超;伦建坤 | 申请(专利权)人: | 记忆科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;H03M13/11 |
代理公司: | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人: | 叶新民 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种精准获取LLR信息的应用方法,其特征在于包括统计样本选取,计算每个样本的Optimal Vref,通过设置多级多bit的读电压,分别计算每级读电压对应的LLR信息,并进行多bit LDPC译码,通过比较不同读电压对应的多bit LDPC译码的迭代次数和译码结果,将迭代次数最少且译码正确的读电压记录为多bit的最优读电压,对应的LLR信息为该批次产品的初始LLR信息,该批次产品默认有限采用该最优读电压读取数据,采用所述初始LLR信息对数据进行译码。通过增加统计获取经验值,作为正常译码时的参数,保证正常的读写NAND的效率,当正常译码失败需要进行数据恢复时,该方案可以估计更准确的多bit LLR信息,降低误码率,实现数据恢复。 | ||
搜索关键词: | 一种 精准 获取 llr 信息 应用 方法 | ||
【主权项】:
一种精准获取LLR信息的应用方法,其特征在于包括统计样本选取,计算每个样本的Optimal Vref,通过设置多级多bit的读电压,将cell电压分布分为多个区域,计算每个区域对应的LLR信息,并进行多bit LDPC译码,通过比较不同读电压对应的多bit LDPC译码的迭代次数和译码结果,将迭代次数最少且译码正确的读电压记录为多bit的最优读电压,对应的LLR信息为该批次产品的初始LLR信息,该批次产品默认有限采用该最优读电压读取数据,采用所述初始LLR信息对数据进行译码。
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