[发明专利]一种NAND Flash中数据存储方法和装置有效
| 申请号： | 201710161713.X | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108628538B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND Flash中数据存储方法和装置，涉及芯片存储技术领域。所述方法，包括：当接收到固有配置信息时，则将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash中预设的固化存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第一预设个数的存储块；所述中间区域为包括所述目标NAND Flash中心位置存储块在内的连续区域；当接收到用户配置信息时，则将所述用户配置信息存储至所述目标NAND Flash中预设的用户存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第二预设个数的存储块。解决了现有的NAND FLASH芯片的存储性能不够理想的技术问题，取得了提高NAND FLASH芯片的存储性能的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 数据 存储 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种NAND Flash中数据存储方法，包括：当接收到固有配置信息时，则将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash中预设的固化存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第一预设个数的存储块；所述中间区域为包括所述目标NAND Flash中心位置存储块在内的连续区域；当接收到用户配置信息时，则将所述用户配置信息存储至所述目标NAND Flash中预设的用户存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第二预设个数的存储块。
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