[发明专利]一种NAND Flash中数据存储方法和装置

说明书

本发明公开了一种NAND Flash中数据存储方法和装置，涉及芯片存储技术领域。所述方法，包括：当接收到固有配置信息时，则将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash中预设的固化存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第一预设个数的存储块；所述中间区域为包括所述目标NAND Flash中心位置存储块在内的连续区域；当接收到用户配置信息时，则将所述用户配置信息存储至所述目标NAND Flash中预设的用户存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第二预设个数的存储块。解决了现有的NAND FLASH芯片的存储性能不够理想的技术问题，取得了提高NAND FLASH芯片的存储性能的有益效果。

技术领域

本发明涉及芯片存储技术领域，具体涉及一种NAND Flash中数据存储方法和装置。

背景技术

根据实现的技术架构的不同，闪存芯片可以分为NOR flash、NAND flash和DINORflash等几种类型。相比于其他几种类型的闪存，NAND flash能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，因此，它是实现大容量数据存储器的理想数据存储介质。NAND FLASH作为一种非易失性存储介质，它以半导体作为记忆载体，比传统的存储设备更能承受温度的变化、机械的振动和冲击，可靠性更高，易于实现高速度、低功耗的存储系，是解决大容量存储技术的理想方案。

在NAND FLASH中存储阵列是以BLOCK(即块)为单位来进行数据读写擦操作的。但是在现有的NAND FLASH闪存芯片中，根据闪存芯片的存储容量的不同，BLOCK的存储容量和总数量可能都会不一样，那么对于分布在芯片存储阵列中不同位置的BLOCK，由于集成电路制造工艺和算法操作等因素的影响，在可靠性上都会有所差异。现有的利用NAND FLASH中的BLOCK进行数据存储的过程中，不会根据不同位置的BLOCK可靠性进行数据存储，导致NAND FLASH芯片中存储的重要数据容易丢失等不良情况，从而导致NAND FLASH芯片的存储性能不够理想。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种NAND Flash中数据存储方法和相应的一种NAND Flash中数据存储装置。

依据本发明的一个方面，提供了一种NAND Flash中数据存储方法，包括：

当接收到固有配置信息时，则将所述固有配置信息存储至目标NAND Flash中预设的固化存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第一预设个数的存储块；所述中间区域为包括所述目标NAND Flash中心位置存储块在内的连续区域；

当接收到用户配置信息时，则将所述用户配置信息存储至所述目标NAND Flash中预设的用户存储区域；所述固化存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域中第二预设个数的存储块。

可选地，所述固化存储区域与所述用户存储区域互不重合。

可选地，还包括：

检测所述目标NAND Flash中预设的重要信息存储块是否失效；

如果所述重要信息存储块失效，则将所述重要信息存储块中的数据存储至所述目标NAND Flash中预设的冗余存储区域；所述冗余存储区域包括所述目标NAND Flash中间区域的第三预设个数的存储块。

可选地，所述冗余存储区域与所述固化存储区域以及所述用户存储区域互不重合；所述冗余存储区域与所述固化存储区域以及所述用户存储区域构成所述中间区域。

可选地，还包括：

接收待存储的第一信息数据；所述第一信息数据为所述固有配置信息以及所述用户配置信息以外的信息数据；