[发明专利]一种高纯铟的制备方法在审
| 申请号： | 201710160302.9 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN107058766A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;邓勇;田阳;熊恒;雷浩成;张丁川;徐宝强;刘大春;郁青春;王飞 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C22B58/00 | 分类号： | C22B58/00;C22B9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯铟的制备方法，属于冶金技术领域。本发明将粗铟熔化进行一次n级（5≤n≤15）真空蒸馏，x级（3≤x≤7）冷凝，其中真空蒸馏的温度为1200～1400℃，真空度为5～20Pa，所得第a级馏分即为高纯铟，其中x为偶数，a为x/2+1，x为奇数，a为（x+1）/2，高纯铟中铟的质量百分数含量不小于99.999%；本发明方法，能充分的除去多种杂质元素得到高纯铟，具有工艺流程简单，效率高，对环境无污染的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯铟的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将粗铟熔化进行一次n级（5≤n≤15）真空蒸馏，x级（3≤x≤7）冷凝，其中真空蒸馏的温度为1200～1400℃，真空度为5～20Pa，所得第a级馏分即为高纯铟，其中x为偶数，a为x/2+1，x为奇数，a为（x+1）/2。
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