[发明专利]MEMS麦克风的形成方法以及MEMS麦克风有效
| 申请号： | 201710157818.8 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108632731B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王强;钟史伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS麦克风的形成方法以及MEMS麦克风，所述MEMS麦克风包括器件区和用于引出器件区中的电极的引出区，在器件区和引出区的半导体衬底上依次形成一第一导电层和一牺牲层；在引出区的牺牲层上形成一隔离层；在器件区和引出区的半导体衬底上形成一第二导电层，在所述引出区外围区域的第二导电层中还形成有一贯穿所述第二导电层的开口；去除器件区中第一导电层和第二导电层之间的部分牺牲层，以形成一空腔。本发明所提供的形成方法中，由于在引出区的牺牲层上形成有隔离层，避免了隔离层从第二导电层的开口中暴露出，进而可防止在形成空腔的过程中，引出区中的牺牲层受到刻蚀剂的侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 形成 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有一器件区和用于引出器件区中的电极的引出区；在所述半导体衬底上依次形成一第一导电层和一牺牲层；在所述引出区的牺牲层上形成一隔离层，所述牺牲层和所述隔离层的材质不同；在所述半导体衬底上形成一第二导电层，在所述引出区外围区域的第二导电层中形成有一贯穿所述第二导电层的开口；去除所述器件区中的部分牺牲层，以在所述器件区中的第一导电层和第二导电层之间形成一空腔。
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