[发明专利]一种原位制备氧化锑薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710157144.1 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106904943B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘仪柯;蒋良兴;汪颖;刘芳洋;唐雅琴;伍玉娇 | 申请（专利权）人： | 贵州理工学院;中南大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 张梅 |
| 地址： | 550003 *** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位制备氧化锑薄膜的方法，是将基片浸没于三氯化锑、三乙醇胺和氢氧化钠配成的前驱体溶液中，使基片表面原位生成氧化锑前驱体薄膜，而后将氧化锑前驱体薄膜干燥，焙烧，即得。本发明在低温常压、不添加任何表面活性剂或催化剂的条件下，可在衬底上原位制备氧化锑。且本发明方法具有设备简单，生长速率快，在平整表面和不规则表面均能大面积成膜的优点，因而能耗低，成膜均一性好，易于实现工业化，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 制备 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：是将基片浸没于三氯化锑、三乙醇胺和氢氧化钠配成的前驱体溶液中，使基片表面原位生成氧化锑前驱体薄膜，而后将氧化锑前驱体薄膜干燥，焙烧，即得。
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