[发明专利]一种原位制备氧化锑薄膜的方法

权利要求书

1.一种原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将三乙醇胺加入浓度为 0.01-10mol/L 的氯化锑溶液中并搅拌充分，最后加入氢氧化钠或氢氧化钾调节溶液 pH 至 8-12.5，得到澄清透明的氧化锑前驱体溶液；

（2）将基片浸入到步骤（1）配制的前驱体溶液中，将反应容器置于水浴锅中，在 40-100℃温度下反应 0.1-100h，而后取出基片用去离子水清洗干净，烘干，在 100-1000℃下空气气氛中进行焙烧 0.5-10h，得到氧化锑薄膜。

2.根据权利要求 1 所述原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，是将三乙醇胺加入浓度为 4-6mol/L 的氯化锑溶液中。

3.根据权利要求 1 所述原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（1）中是将溶液 pH 值调节至 9-10。

4.根据权利要求 1 所述原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，是将基片浸入到前驱体溶液中，将反应容器置于水浴锅中，在 65-75℃温度下反应 0.5-4h，而后取出基片用去离子水清洗干净，烘干，在 400-550℃下空气气氛中进行焙烧 3-5h，得到氧化锑薄膜。

5.根据权利要求 1 所述的原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：步骤（2）所述的焙烧方法是以 2-15℃/min 的升温速度进行升温。

6.根据权利要求 1 所述的原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：所述基片为 FTO导电玻璃、ITO 导电玻璃或金属基片。

7.根据权利要求 6 所述的原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：所述金属基片为铜、铝或钢。

8.根据权利要求 1 所述的原位制备氧化锑薄膜的方法，其特征在于：所述基片在浸没于前驱体溶液之前需依次经过丙酮、无水乙醇和去离子水和超声清洗，然后干燥后待用。