[发明专利]太阳能电池用ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极的制备方法在审
| 申请号： | 201710156945.6 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108630456A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘志锋;陈培旸;陈培奇 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/86;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池用ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极制备方法。首先通过溶胶凝胶法制备ZnO种子层溶胶；采用浸渍提拉法在ITO导电玻璃基底上涂覆ZnO种子层，经过热处理后，将长有ZnO种子层的导电玻璃放置在ZnO生长溶液中经过水热处理，得到ZnO纳米棒阵列，然后将带有ZnO纳米结构的导电玻璃放入包含AgCl的盐溶液中反应获得ZnO/Ag2S核/壳纳米棒阵列电极。本发明提供的制备工艺简单易控、设备要求低，制备的ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极相比单纯的ZnO光电极可见光吸收增强，光电转化性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米棒阵列电极 制备 太阳能电池 导电玻璃 光电转化性能 溶胶凝胶法制 浸渍提拉法 可见光吸收 热处理 纳米结构 设备要求 生长溶液 水热处理 制备工艺 光电极 盐溶液 放入 基底 涂覆 | ||
【主权项】：
1.太阳能电池用ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极的制备方法，其特征在于，首先在ITO玻璃基底制备一层ZnO种子层，ZnO种子层在生长溶液中生长为高度有序的ZnO纳米棒阵列，之后将带有ZnO纳米棒阵列的导电玻璃分别放入AgCl的盐溶液中反应获得ZnO/Ag2S核/壳纳米棒阵列电极。
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