[发明专利]太阳能电池用ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极的制备方法在审
| 申请号： | 201710156945.6 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108630456A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘志锋;陈培旸;陈培奇 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/86;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米棒阵列电极 制备 太阳能电池 导电玻璃 光电转化性能 溶胶凝胶法制 浸渍提拉法 可见光吸收 热处理 纳米结构 设备要求 生长溶液 水热处理 制备工艺 光电极 盐溶液 放入 基底 涂覆 | ||
【权利要求书】：
1.太阳能电池用ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极的制备方法，其特征在于，首先在ITO玻璃基底制备一层ZnO种子层，ZnO种子层在生长溶液中生长为高度有序的ZnO纳米棒阵列，之后将带有ZnO纳米棒阵列的导电玻璃分别放入AgCl的盐溶液中反应获得ZnO/Ag2S核/壳纳米棒阵列电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池用ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极的制备方法，其特征在于，ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极的工艺参数为：将乙酸锌放入乙二醇甲醚中，在50-60℃的条件下匀速搅拌，在搅拌的前半个小时内滴入一定量的单乙醇胺，持续搅拌约2h后，获得0.3mol/L～0.5mol/L的种子层溶胶，采用浸渍-提拉法在ITO导电玻璃上沉积ZnO种子层，将涂覆种子层的ITO置于马弗炉中400℃进行退火处理，将退火处理后的样品放入0.05mol/L～0.1mol/L硝酸锌(Zn(NO3)2)和六次甲基四胺(C6H12N4)的混合生长溶液中，密封条件下在90℃保持7h，得到ZnO纳米棒阵列，最后，在25ml蒸馏水中溶解4mg～6mg的氯化银，待完全溶解后将带有ZnO纳米棒的ITO玻璃导电面向下放入溶液中，在密封条件下在30℃～40℃反应2h～3h，用蒸馏水清洗、烘干得ZnO/Ag2S纳米棒阵列电极。
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