[发明专利]一种带背面腐蚀氧化层工艺的功率MOSFET制造方法有效
| 申请号： | 201710155478.5 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107068569B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 肖添;王鹏飞;李光波;李孝权;胡镜影;唐仕伟;唐昭焕;王斌;吴雪;杨永晖 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 50201 重庆大学专利中心 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带背面腐蚀氧化层工艺的功率MOSFET制造方法；在流程中涉及用键合保护层(NECK区)低淀SiO | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 腐蚀 氧化 工艺 功率 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带背面腐蚀氧化层工艺的功率MOSFET制造方法，其特征在于，包括衬底材料（1）、外延层（2）、体区（3）、源区（4）、键合保护层（5）、正光刻胶（6）、栅氧层（7）、多晶硅层（8）、介质缓冲层（9）、PECVD介质淀积形成的介质层（10）和金属层（11）；/n进行以下步骤：/n1）完成衬底材料（1）、外延层（2）、体区（3）和源区（4）后，采用低温淀积SiO
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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