[发明专利]一种光电探测器阵列有效
| 申请号： | 201710149708.7 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN106876418B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 黄永清;赵康;费嘉瑞;段晓峰;刘凯;王俊;任晓敏;王琦;张霞;颜鑫;陈伟 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 汤财宝 |
| 地址： | 100876*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测器阵列，其特征在于，包括：半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极；其中，所述接地大电极为一环形结构，所述环形结构的中心与所述信号大电极的中心重合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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