[发明专利]晶圆承载装置有效
申请号: | 201710147409.X | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN107195579B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 黄彦纶;孙健仁;施英汝;徐文庆 | 申请(专利权)人: | 环球晶圆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;许荣文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶圆承载装置,供多个晶圆置放,该晶圆承载装置包含:一盘体,及多个容置机构。该盘体可绕其中心轴线旋转且包括一上表面,及一沿该中心轴线方向相反于该上表面的下表面。所述容置机构自该盘体之上表面凹陷而成,每一容置机构包括一形成于该盘体之上表面的开口、一自该开口朝向该盘体之下表面延伸的侧壁面,及一连接该侧壁面以与该侧壁面共同界定出一容置槽的底壁面,该容置槽供晶圆自该开口放入。每一容置机构的侧壁面具有一邻近对应之底壁面的下区段,该下区段具有一远离该盘体之中心轴线且可供晶圆抵靠的抵靠部,本发明藉由抵靠部使晶圆在该盘体旋转时受压均匀分布,避免因受离心力挤压而导致边缘或表面产生缺陷、损伤,而使晶圆质量下降。 | ||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆承载装置,供多个晶圆置放,每一晶圆之顶部周缘经倒角处理而形成一倒角部,其特征在于,该晶圆承载装置包含:一盘体,可绕其中心轴线旋转且包括一上表面,以及一沿该中心轴线方向相反于该上表面的下表面;以及多个容置机构,自该盘体之上表面凹陷而成,每一容置机构包括一形成于该盘体之上表面的开口、一自该开口朝向该盘体之下表面延伸的侧壁面,以及一连接该侧壁面以与该侧壁面共同界定出一容置槽的底壁面,该容置槽供晶圆自该开口放入;其中,定义一垂直通过对应之底壁面中心的第一轴线,每一容置机构的侧壁面具有一上区段,自对应之开口向下延伸至一第一转折部,一倾斜段,自该第一转折部朝远离该第一轴线之方向斜向下延伸至一第二转折部且面朝晶圆的倒角部,该第二转折部不高于晶圆之顶表面,以及一下区段,邻近对应之底壁面且自该底壁面之周缘向上延伸至水平对齐于该第二转折部之位置,该下区段具有一远离该盘体之中心轴线的抵靠部,当该盘体绕该中心轴线旋转时,晶圆抵靠该下区段之抵靠部;该抵靠部自水平对齐于该第二转折部之位置被向下挖空而形成一缺口,以使该下区段形成一高于对应之底壁面的凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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