[发明专利]晶圆承载装置

说明书

一种晶圆承载装置，供多个晶圆置放，该晶圆承载装置包含：一盘体，及多个容置机构。该盘体可绕其中心轴线旋转且包括一上表面，及一沿该中心轴线方向相反于该上表面的下表面。所述容置机构自该盘体之上表面凹陷而成，每一容置机构包括一形成于该盘体之上表面的开口、一自该开口朝向该盘体之下表面延伸的侧壁面，及一连接该侧壁面以与该侧壁面共同界定出一容置槽的底壁面，该容置槽供晶圆自该开口放入。每一容置机构的侧壁面具有一邻近对应之底壁面的下区段，该下区段具有一远离该盘体之中心轴线且可供晶圆抵靠的抵靠部，本发明藉由抵靠部使晶圆在该盘体旋转时受压均匀分布，避免因受离心力挤压而导致边缘或表面产生缺陷、损伤，而使晶圆质量下降。

技术领域

本发明涉及一种承载装置，特别是涉及一种应用于半导体磊晶制程中的晶圆承载装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)为半导体组件制程中重要的制程技术之一。其方法主要是将晶圆暴露在一种或多种不同的前驱物(precursor)下，使晶圆表面发生氧化还原等化学反应，藉此沉积薄膜于晶圆表面上。在进行化学气相沉积的过程中，薄膜之膜厚均匀度是决定薄膜质量好坏的重要指标之一。为此，在化学气相沉积的过程中，常用加热晶圆载体、变化反应腔室之形状、修改簇射头特性，以及旋转晶圆载体等方式提高薄膜之膜厚均匀度。

上述所提及的方法中，旋转晶圆载体虽能有效提高膜厚均匀度，却也衍生了另一个影响制程良率的问题。当晶圆在载体上旋转时会受到离心力之影响进而压迫载体，造成晶圆边缘或表面产生缺陷、损伤，导致晶圆质量下降，不利于后续的半导体组件制作。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在半导体磊晶制程中，避免放置在旋转的载体上之晶圆因压迫载体，而导致边缘或表面产生缺陷、损伤，导致晶圆质量下降的晶圆承载装置。

本发明晶圆承载装置，供多个晶圆置放，每一晶圆之顶部周缘经倒角处理而形成一倒角部，该晶圆承载装置包含：一盘体，以及多个容置机构。该盘体可绕其中心轴线旋转且包括一上表面，以及一沿该中心轴线方向相反于该上表面的下表面。所述容置机构自该盘体之上表面凹陷而成，每一容置机构包括一形成于该盘体之上表面的开口、一自该开口朝向该盘体之下表面延伸的侧壁面，以及一连接该侧壁面以与该侧壁面共同界定出一容置槽的底壁面，该容置槽供晶圆自该开口放入。其中，定义一垂直通过对应之底壁面中心的第一轴线，每一容置机构的侧壁面具有一上区段、一倾斜段，以及一下区段。该上区段自对应之开口向下延伸至一第一转折部，该倾斜段自该第一转折部朝远离该第一轴线之方向斜向下延伸至一第二转折部且面朝晶圆的倒角部，该第二转折部不高于晶圆之顶表面。该下区段邻近对应之底壁面且自该容置机构的底壁面之周缘向上延伸至水平对齐于该第二转折部之位置。该下区段具有一远离该盘体之中心轴线且的抵靠部，当该盘体绕该中心轴线旋转时，晶圆抵靠该下区段之抵靠部。

本发明所述的晶圆承载装置，该抵靠部自水平对齐于该第二转折部之位置被向下挖空而形成一缺口，以使该下区段形成一高于对应之底壁面的凹部。

本发明所述的晶圆承载装置，每一晶圆之周缘经切削而形成一定向平面，每一容置机构之容置槽的横切面对应晶圆之形状，且该容置机构的下区段形成一抵贴部，当该盘体绕该中心轴线旋转时，晶圆的定向平面抵贴该抵贴部。

本发明所述的晶圆承载装置，每一容置机构的倾斜段与该水平线之夹角不小于晶圆之倒角部与该水平线之夹角且小于九十度。

本发明所述的晶圆承载装置，每一容置机构的倾斜段与该水平线之夹角等于晶圆之倒角部与该水平线之夹角。

本发明所述的晶圆承载装置，每一容置机构的倾斜段与该水平线之夹角不大于晶圆之倒角部与该水平线之夹角加上三十度。

本发明所述的晶圆承载装置，每一容置机构的倾斜段与晶圆的倒角部之间距不小于10微米。