[发明专利]一种通过蓝宝石衬底制备多晶SiC薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710146618.2 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN107059119B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 杨颖;姚靖懿;王一平;郑炳金;王建业 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B28/12 | 分类号： | C30B28/12;C30B29/36;C30B33/02;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 32237 江苏圣典律师事务所 | 代理人： | 贺翔<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种通过蓝宝石衬底制备多晶SiC薄膜的方法，涉及半导体薄膜材料技术领域，本发明包括：将清洗好的蓝宝石衬底(1)与SiC靶材置于真空反应腔体中，并将所述真空反应腔体抽至高真空状态，并对蓝宝石衬底(1)进行升温；往所述真空反应腔体中通入氩气和氧气，并维持气压；执行磁控溅射过程，得到过渡层(2)和过渡层(3)，其中，所述溅射过程包括先预溅射和正式溅射；关闭氧通道，只通入氩气并维持气压，再次执行磁控溅射过程得到SiC薄膜(4)，待所述真空反应腔体腔体冷却至室温后取出样品；将所取出的样品置于快速退火炉中进行热退火。本发明适用于在蓝宝石衬底上制备多晶SiC薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 蓝宝石 衬底 制备 多晶 sic 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过蓝宝石衬底(1)制备多晶SiC薄膜的方法，其特征在于，包括：/n将清洗好的蓝宝石衬底(1)与SiC靶材置于真空反应腔体中，并将所述真空反应腔体抽至高真空状态，并对蓝宝石衬底(1)进行升温；/n往所述真空反应腔体中通入氩气和氧气，并维持气压；/n执行磁控溅射过程，得到过渡层(2)和过渡层(3)，其中，所述溅射过程包括先预溅射和正式溅射；/n关闭氧通道，只通入氩气并维持气压，再次执行磁控溅射过程得到SiC薄膜(4)，待所述真空反应腔体冷却至室温后取出样品；/n将所取出的样品置于快速退火炉中进行热退火；/n将所述真空反应腔体中通入氩气和氧气，并维持气压，包括：打开与所述真空反应腔体连接的氧气和氩气的阀门，并通入这两种气体，其中，所通入的氩/氧比例为20/5，并调整分子泵的连接阀，控制所述真空反应腔体内气压为大于等于0.5且小于等于10Pa；/n所述执行磁控溅射过程，包括：/n在预溅射过程后执行正式溅射过程：/n调整蓝宝石衬底(1)位置与所述SiC靶材对准，保持氩/氧气体的比例为20/5，在蓝宝石衬底(1)上进行持续时长大于等于30且小于等于60min的正式溅射，获得100至300nm厚的Si-O-C过渡层(2)；/n保持溅射功率和蓝宝石衬底(1)位置不变，调整氩/氧气体的比例为20/1，调整分子泵的连接阀，使所述真空反应腔体内的气压继续稳定在大于等于0.5且小于等于10Pa；/n在蓝宝石衬底(1)上进行大于等于30且小于等于60min的正式溅射，获得100至300nm厚的Si-O-C*过渡层(3)。/n
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