[发明专利]用于热退火的方法及通过该方法形成的半导体器件在审
| 申请号： | 201710141060.9 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107195545A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 曼弗雷德·恩格尔哈特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324;H01L29/06;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 李春晖,陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据各种实施方式，一种方法可以包括在半导体区域中布置掺杂剂；在半导体区域的至少一部分上形成包括碳的至少一个同素异形体或由碳的至少一个同素异形体形成的辐射吸收层；以及通过利用电磁辐射至少部分地照射辐射吸收层以至少部分地加热半导体区域，来至少部分地激活掺杂剂。还提供了一种通过上述方法形成的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 退火 方法 通过 形成 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体区域中布置掺杂剂；在所述半导体区域的至少一部分之上形成包括碳的至少一个同素异形体的辐射吸收层；通过利用电磁辐射至少部分地照射所述辐射吸收层以至少部分地加热所述半导体区域，来至少部分地激活所述掺杂剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
