[发明专利]一种有机电致发光器件的制作与封装方法在审
申请号: | 201710137813.9 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN106654071A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 季渊;沈伟星 | 申请(专利权)人: | 南京迈智芯微光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 210006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种以集成有CMOS电路的单晶硅为基板的有机电致发光器件封装方法,利用原子层沉积技术对硅基有机电致发光器件进行封装保护,形成稳定可靠的硅基有机发光微型显示器,提高寿命,降低封装成本,同时,本发明也提供基于该种低成本封装方法的硅基有机电致发光器件的制作方法,包括在硅晶片上制作硅基驱动电路,在硅基驱动电路的表层依次制作多层薄膜有机材料和薄膜金属,以及利用原子层沉积工艺在反应室中对硅基有机电致发光器件的外表面沉积致密保护薄膜等步骤。原子层沉积可以精确控制薄膜厚度,稳定性能好,对反应物通量的变化不敏感,不需要控制反应物流量的均一性,而且可以低温执行,对于大纵宽比的结构可以实现良好的阶梯覆盖。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 制作 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种有机电致发光器件的制作与封装方法,其特征在于,包含:步骤81:在硅晶片上制作硅基驱动电路,所述硅基驱动电路为一种利用半导体工艺制成的、含有金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管的、用于将输入信号转换为单位时间内的像素电压或电流的、至少露出表面金属的电路器件,所述表面金属作为硅基有机电致发光器件的像素底电极和公共电极;步骤82:在所述硅基驱动电路的表层依次制作多层薄膜有机材料和薄膜金属,所述多层薄膜有机材料作为硅基有机电致发光器件的发光功能层,所述薄膜金属作为硅基有机电致发光器件的像素顶电极,所述像素底电极、多层薄膜有机材料、像素顶电极在垂直方向上形成有机电致发光器件;步骤83:利用原子层沉积工艺在反应室中对所述硅基有机电致发光器件的外表面沉积致密保护薄膜,用于阻隔所述硅基有机电致发光器件与外界空气接触,所述原子层沉积工艺包括引入前驱物进行单镀膜周期生长单原子膜以及重复所述单镀膜周期生长单原子膜形成致密保护薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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