[发明专利]一种通过掺杂樟脑磺酸根离子合成手性导电聚合物的方法及其应用有效
申请号: | 201710129976.2 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN106990154B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 孔泳;于茵 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | G01N27/48 | 分类号: | G01N27/48;C08G73/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种通过掺杂樟脑磺酸根离子合成手性导电聚合物的方法及其应用,包括以下步骤:电聚合掺杂樟脑磺酸根离子的聚合物膜、过氧化聚合物复合膜、电化学法识别色氨酸对映体。本发明的有益效果是:制备掺杂樟脑磺酸根离子聚合物的方法简便易行,制备过程环保无污染,且该过氧化聚合物复合膜修饰电极能高效地识别色氨酸对映体。 | ||
搜索关键词: | 一种 通过 掺杂 樟脑 酸根 离子 合成 手性 导电 聚合物 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种电化学识别色氨酸对映异构体的方法,其特征在于:步骤如下:a、电聚合掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜:将吡咯单体分子溶解在(+)‑10‑樟脑磺酸溶液中混合均匀配制成混合液,实验采用三电极体系,直径为3mm的玻碳电极为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,将其浸入混合液中,施加相应电流进行恒电流聚合,得到掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极;b、过氧化聚吡咯膜:实验采用三电极体系,掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,将其浸入磷酸盐缓冲溶液中,进行循环伏安扫描,得到过氧化的掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极;c、电化学法识别色氨酸对映体:实验采用三电极体系,过氧化的掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,将其分别浸入配制的L‑/D‑色氨酸溶液中,静置后进行差分脉冲扫描。
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