[发明专利]SOI放大器在审
| 申请号： | 201710128163.1 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108540099A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 马杰;陆建华;李南;任栋;张侨 | 申请（专利权）人： | 上海安其威微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI放大器，包含N个串联的晶体管M1，M2，……MN，N是大于等于1的整数，晶体管M1的栅极与外部交流信号源连接，晶体管MN的漏极与交流输出端连接，其中，在晶体管M2，M3，……MN中的每个晶体管的栅极分别并入接地电容C2，C3，……CN。本发明可以使得SOI放大器能够在较高的直流电压VDD下正常工作，且电路的线性度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 放大器 交流输出端 交流信号源 接地电容 直流电压 线性度 漏极 串联 电路 外部 | ||
【主权项】：
1.一种SOI放大器，其特征在于，包含N个串联的晶体管M1，M2，……MN，N是大于等于1的整数，晶体管M1的栅极与外部交流信号源连接，晶体管MN的漏极与交流输出端连接，其中，在晶体管M2，M3，……MN中的每个晶体管的栅极分别并入接地电容C2，C3，……CN。
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