[发明专利]SOI放大器

权利要求书

1.一种SOI放大器，其特征在于，包含N个串联的晶体管M1，M2，……MN，N是大于等于1的整数，晶体管M1的栅极与外部交流信号源连接，晶体管MN的漏极与交流输出端连接，

其中，在晶体管M2，M3，……MN中的每个晶体管的栅极分别并入接地电容C2，C3，……CN。

2.如权利要求1所述的SOI放大器，其特征在于，所述接地电容C2，C3，……CN中的每个电容的电容值使得所述晶体管M2，M3，……MN中的每个晶体管的漏极和源极之间的电压小于每个晶体管的击穿电压，其中，所述每个晶体管的击穿电压是相同的。

3.如权利要求2所述的SOI放大器，其特征在于，所述晶体管M2，M3，……MN中的每个晶体管的栅极分别连接开路电阻R2，R3，……RN的一端，且所述开路电阻R2，R3，……RN中的每个开路电阻的另一端分别与各自的第一外部直流电源连接。

4.如权利要求3所述的SOI放大器，其特征在于，所述晶体管M1的栅极与第二外部直流电源连接，使得所述晶体管M1的漏极和源极之间的电压小于所述晶体管M1的击穿电压。

5.如权利要求1-4中任一项所述的SOI放大器，其特征在于，所述晶体管M1，M2，……MN都是NMOS管。

6.如权利要求5所述的SOI放大器，其特征在于，在所述晶体管M1，M2，……MN的每个晶体管的源极和漏极与P型衬底之间设置有绝缘层。