[发明专利]一种抛光工艺在审

专利信息
申请号: 201710123586.4 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN107020567A 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 刘小龙 申请(专利权)人: 中山市科旗金属表面处理设备有限公司
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;B24B55/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 张海文
地址: 528400 广东省中山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种抛光工艺,适用于抛光粉末冶金制品。本发明采用离心研磨抛光设备、涡流研磨抛光设备、核桃壳研磨抛光设备、等离子抛光机等核心设备,并配合使用陶瓷圆球石、高频陶瓷长条石、核桃壳颗粒等研磨材料和等离子抛光机所使用的硫酸铵溶液,以将粉末冶金制品进行抛光。本发明利用设备组合使用的加工方式替代传统的手工抛光工艺,这样的抛光工艺大幅地减少了人工,能够提高加工效率,降低加工成本,还能避免加工过程中所产生的碎屑飞扬而危害人的健康。
搜索关键词: 一种 抛光 工艺
【主权项】:
一种抛光工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)在涡流研磨抛光设备中加入研磨石和待抛光件,对待抛光件进行第一次密封抛光5~8小时;(2)将第一次密封抛光后的待抛光件放入离心研磨抛光设备中,加入长度为7mm~10mm的高频陶瓷长条石,对待抛光件进行第二次密封抛光3.5~5小时;(3)将第二次密封抛光后的待抛光件进行清洗,并将卡于待抛光件中的块状固体物挑出;(4)将挑选后的待抛光件进行第三次抛光加工;(5)将第三次抛光后的待抛光件加入到等离子抛光机中,并在等离子抛光机中加入重量百分比浓度为2%~3%的硫酸铵溶液直至待抛光件被淹没,对待抛光件进行第四次密封抛光4~10分钟。
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