[发明专利]一种抛光工艺

权利要求书

1.一种抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在涡流研磨抛光设备中加入研磨石和待抛光件，对待抛光件进行第一次密封抛光5～8小时；

（2）将第一次密封抛光后的待抛光件放入离心研磨抛光设备中，加入长度为7mm～10mm的高频陶瓷长条石，对待抛光件进行第二次密封抛光3.5～5小时；

（3）将第二次密封抛光后的待抛光件进行清洗，并将卡于待抛光件中的块状固体物挑出；

（4）将挑选后的待抛光件进行第三次抛光加工；

（5）将第三次抛光后的待抛光件加入到等离子抛光机中，并在等离子抛光机中加入重量百分比浓度为2%～3%的硫酸铵溶液直至待抛光件被淹没，对待抛光件进行第四次密封抛光4～10分钟。

2.根据权利要求1所述的一种抛光工艺，其特征在于，步骤（4）中第三次抛光加工的具体操作为：将挑选后的待抛光件放入滚筒式核桃核研磨机中，在滚筒式核桃核研磨机中加入直径为2mm～4mm的核桃壳颗粒和清光油，对待抛光件进行第三次密封抛光4～8小时。

3.根据权利要求1所述的一种抛光工艺，其特征在于，步骤（4）中第三次抛光加工的具体操作为：在磨光机上安装一布轮，采用人工操作的方式，使用布轮对待抛光件进行第三次抛光，直至待抛光件上需要抛光的表面的粗糙度为Ra1.6～Ra0.2。

4.根据权利要求1所述的一种抛光工艺，其特征在于，所述研磨石为陶瓷圆球石、三角形树脂、菱形麻石中的一种或任意多种的组合。

5.根据权利要求4所述的一种抛光工艺，其特征在于，所述陶瓷圆球石的直径为5mm～9mm，所述三角形树脂型号为120#或80#，所述菱形麻石的型号为60#、80#或120#。

6.根据权利要求1所述的一种抛光工艺，其特征在于，所述待抛光件通过水或者超声波进行清洗。

7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的一种抛光工艺，其特征在于，所述待抛光件为粉末冶金制品。