[发明专利]一种腔室和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201710120932.3 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108538694B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李兴存 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;刘悦晗 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种腔室和等离子体处理装置，通过在匀流腔内设置由多个栅板组成的栅型结构，令栅型结构与匀流腔的顶壁之间的第一间距d1与匀流腔内压力p的乘积、栅型结构与匀流腔的底壁之间的第二间距d2与匀流腔内压力p的乘积、相邻栅板之间的第三间距d3与匀流腔内压力p的乘积均小于1.33pa*m或均大于13.3pa*m，从而避免在匀流腔内产生放电现象；即使射频功率较大或气压较高时，该栅型结构仍然可以正常工作，因此可以扩大工艺窗口和适用范围，尤其适用于高气压、高功率的工艺条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种腔室，包括匀流腔，其特征在于，在所述匀流腔内容置有由多个栅板组成的栅型结构，其中，所述栅型结构与所述匀流腔的顶壁之间具有第一间距d1；所述栅型结构与所述匀流腔的底壁之间具有第二间距d2；相邻所述栅板之间具有第三间距d3；以及所述d1、d2、d3分别与所述匀流腔内压力p的乘积，均小于1.33Pa*m或均大于13.3Pa*m。
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