[发明专利]一种锗掺杂石墨烯材料的制备方法在审
申请号: | 201710112389.2 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN107082415A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 林时胜 | 申请(专利权)人: | 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 万尾甜,韩介梅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市滨江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种锗掺杂石墨烯材料的制备方法,所述锗掺杂石墨烯材料由固态锗源和碳源在一定条件下反应得到,相比于原始石墨烯材料的零禁带缺点,通过锗元素的掺杂后,石墨烯能带会被打开,能够更广泛的应用于量子光源、光电、半导体原型器件、微电子电路、射频器件、集成电路、纳米能源、复合材料等多个技术领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 石墨 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锗掺杂石墨烯材料的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:1)将锗源与碳源相距0‑50cm放置于反应炉管内,锗源与碳源的摩尔数比为50:1‑1:1000;2)以1℃/min‑300℃/min的速率升温至1050℃-2000℃,反应炉管抽至真空度为10‑5‑105Pa后,然后通入保护气氛,在保护气氛下反应1‑1000min;3)以1℃/min‑500℃/min的速率冷却至室温,得到锗掺杂石墨烯材料。
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