[发明专利]偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器在审
| 申请号： | 201710106781.6 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106887670A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈霏;李子蒙 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01L27/04 |
| 代理公司： | 天津才智专利商标代理有限公司12108 | 代理人： | 王顕 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，包括硅衬底和设置在硅衬底上的第一NMOS管和第二NMOS管；两个NMOS管的栅极分别与各自的漏极连接；第一NMOS管漏极连接电源；第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极接地；第一NMOS管和第二NMOS管相同，两者的栅极长度均为1.28～128.25μm，作为偶极子天线使用。该太赫兹探测器在标准CMOS工艺下，将NMOS管的栅极作为探测器的偶极子天线结构，实现了天线和温度传感器集成，减小芯片面积，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 偶极子 天线 nmos 温度传感器 一体化 赫兹 探测器 | ||
【主权项】：
一种偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：包括硅衬底(1)和设置在所述硅衬底(1)上的第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)；所述第一NMOS管(2)的栅极(201)与其漏极(202)连接；所述第二NMOS管(3)的栅极(301)与其漏极(302)连接；所述第一NMOS管(2)漏极(202)连接电源(204)；所述第一NMOS管(2)的源极(203)连接第二NMOS管(3)的漏极，所述第二NMOS管(3)的源极(303)接地；所述第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)相同，其栅极作为偶极子天线使用，所述第一、第二NMOS管的栅极(201，301)长度为1.28～128.25μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710106781.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制作微波移相器的方法
- 下一篇：移动装置
